Micron e Intel dan a conocer la tecnología de memorias Flash NAND 3D capas de ampliar hasta tres veces más la capacidad que otros dispositivos de almacenamiento con NAND.
La Tecnología NAND 3D presentada por Micron e Intel utiliza células de puerta flotante y permite al dispositivo flash de más alta densidad que se haya desarrollado obtener tres veces mayor capacidad que otro dado con NAND en sus versiones anteriores, lo que permitiría SSDs-stick tipo memorias flash portátiles de 3,5 terabytes (TB) de almacenamiento y SSD estándar de 2,5 pulgadas con más de 10 TB de almacenamiento, Las capacidades de estas memorias son tan impresionantes, que un solo chip será capaz de ofrecer una capacidad de 48 GB, pudiendo crear un módulo de 750 GB con un tamaño al de los pendrives más pequeños del mercado.
Las Técnicas de arquitectura de proceso, extienden la Ley de Moore para el almacenamiento flash, trayendo mejoras significativas en la densidad al tiempo que reduce el costo de memoria flash NAND.
Esta nueva tecnología NAND 3D, que fue desarrollado conjuntamente por Intel y Micron, Son pilas de capas de células de almacenamiento de datos en posición vertical con una precisión extraordinaria para crear dispositivos de almacenamiento con tres veces más capacidad, Esto permite más capacidad de almacenamiento en un espacio más pequeño, con lo que el ahorro de costes significativos, bajo consumo de energía y alto rendimiento para una amplia gama de dispositivos móviles de consumo, así como las implementaciones empresariales más exigentes.
“La colaboración de Intel y Micron ha creado una tecnología de almacenamiento de estado sólido líder en la industria que ofrece alta densidad, rendimiento y eficiencia y es incomparable con cualquier flash de hoy”, dijo Brian Shirley, vicepresidente de Tecnología de la Memoria y Soluciones en Micron Technology. “Esta tecnología NAND 3D tiene el potencial de crear cambios fundamentales del mercado. La profundidad del impacto que las memorias Flash han tenido hasta la fecha, desde teléfonos inteligentes a memorias flash optimizadas para super-computadores como es el caso de los discos de estado solido, es realmente sólo la superficie de lo que es posible.”
Fuente: Intel NewsRoom
