Samsung ha anunciado hoy que comenzaría la producción en masa del primer módulo de 64GB DDR4, registrado en módulos duales en línea RDIMM, usando la tecnología 3D TSV a través de silicio, lo cual desempeñará un papel clave gracias a su alta densidad y módulo de alto rendimiento en aplicaciones basadas en la nube, así como una mayor diversificación de soluciones en centros de datos.
Los nuevos módulos RDIMM incluyen 36 chips de memoria de bajo consumo, los cuales cada uno contará de 4GB de memoria DDR4 DRAM y que se fabrican utilizando las más avanzada tecnología de proceso de 20 nanómetros.
Samsung podría estar reforzando su posición en el mercado de las DRAM, con la introducción de módulos de DDR4 de alta eficiencia energética ensamblada con su nueva solución state-of-the-art, utilizando su tecnología 3D TSV, mientras sigue creciendo el impulso en el mercado mundial de DRAM y expandirse dramáticamente con la introducción de la nueva generación de procesadores.
Para crear estos módulos DRAM con la tecnología 3D TSV, las matrices DDR4 son molidas dejándolas tan delgadas, que llegan a medir un par de docenas de micrómetros, que luego pasan a tener cientos de agujeros muy finos que están conectados verticalmente a través de electrodos, que pasan a través de los agujeros.
Como resultado de este proceso los módulos de 64GB TSV llegarán a funcionar incluso dos veces más rápido a comparación con los módulos de 64Gb que usen envases por unión de hilo y con un consumo que se verá reducido a la mitad gracias a esta nueva tecnología.
Samsung ya cree que en un futuro será capaz de apilar más de cuatro DDR4 gracias al uso de la tecnología 3D TSV, para crear módulos DRAM de mayores densidades acelerando la expansión en el mercado de memoria de alta calidad y como consonancia, una aceleración de la transición de DDR3 a DDR4 en todo el mercado. Por el momento se desconocen datos sobre su llegada al mercado o presentación oficial por parte del fabricante Sur Coreano.
